相关工艺

　　要得到好的键合效果，在进行晶体键合前，要对3块晶片的表面进行处理，特别是晶体B,要用机械抛光的方法进行，否则由于重

　　掺杂硼的晶体表面粗糙度太高，键合时会由于晶体表面的内应力使晶体弯曲，表面不平，常有空气泡被封在里面，这使键合的效果不好，要得到好的键合效果就要使表面尽星光滑而且尽量平坦。在键合时，首先在晶体的边缘进行键合，如果在空气中键合，晶体的中间会有残留的空气，这些残留的空气泡在高温下会膨胀，有可能把两片晶体分开。为解决这个问题可在真空中键合;另一个办法是同时在另一面也进行硼扩散来减少它的弯曲，因为两面硼扩散的厚度如果—样的话，晶体的变形会最小。

　　对于电容压力传感器，硅梁的扩散厚度需要精确控制，P+重掺杂自停止腐蚀法及PN结自停止腐蚀来控制扩散精度。P+重掺杂

　　自停止腐蚀主要是利用当硼在硅中的浓度超过1019时，硅的腐蚀速率将大大减小，这是各向异性腐蚀的一个特性。各向异性腐蚀与晶体的晶向和掺杂浓度有关。腐蚀速率大部分取决于晶体的晶向，这个特性在腐蚀<100>晶向的晶体时会得到V形槽，<110>晶体得到U形槽。晶体的腐蚀速率取决于3个因素:晶体的类型、溶液的浓度及温100>和<111>的腐蚀速率比值为50∶30∶1.在室温下比值为

　　160∶100∶1.腐蚀速率对温度非常敏感，要注意控制腐蚀液的温度。溶液的浓度也会影响腐蚀速率，但不是线性的。在10℃左右，腐蚀速率最大，而且当溶液的浓度逐渐增加时，腐蚀速率会慢慢降下来。

　　查阅资料，当溶液的浓度在10%~15%时，晶体的腐蚀速率最大。溶液的浓度很低时，晶体表面会产生一系列小洞。4、结论

　　压力传感器从工艺流程来看，制造的成本与单面接触式电容压力传感器相当，器件体积也不会因此增大。具有单面接触式电容压力传感器

　　所具有的优点:低温漂，高灵敏度，受环境影响小，对分布电容不敏感。对于同样大小的器件，双面接触式电容压力传感器的电容量和灵敏度高出单面接触式电容压力传感器1倍。